				경북･구미 반도체특화단지 추진단 소식

제6호

제36호 2025.09.22.

	｢금오공대·영남대 반도체특성화대학사업단 성과교류회｣ 개최 2025.09.02.(화) / 호텔 금오산

□ 2차년도 상반기 성과교류회 및 산업체자문위원회' 개최 □ 2차년도 상반기 사업성과 보고와 하반기 사업 계획 발표 □ 반도체 기업 및 관계 기관 자문위원들의 의견 청취, 반도체 분야의 지속적인 산학협력 방안에 대해 논의 등

	｢SEMICON Taiwan 2025｣ 참관 2025.09.10.-12.(수-금) / 대만 타이베이

□ 선진 반도체 산업현장 시찰 및 최신 반도체 글로벌 시장동향 파악 □ 반도체 산업 마케팅 전략 수립 □ 대만 반도체 기업과 한국 기업 간의 비즈니스 협력 방안 모색 등

	｢신주 사이언스 파크 시찰 및 반도체 분야 전문가 기업 간담회｣ 2025.09.09.(화) / 신주 사이언스 파크

□ 신주 사이언스 파크 소개 및 반도체 기업 초청 교류회 □ 대만 반도체 기업과의 교류협력방안 논의 □ 신주 사이언스 파크 단지 투어

	｢타이중 사이언스 파크 시찰 및 반도체 기관 간담회｣ 2025.09.11.(목) / 타이중 사이언스 파크

□ 타이중 사이언스 파크 조성현황 및 입주 기업 소개 □ 한국-대만 반도체 기업 간의 교류협력 방안 논의 및 기타 질의응답 □ 타이중 사이언스 파크 단지 투어

	｢26회 세계지식포럼｣ 참관 2025.09.09.-10.(화-수) / 서울 장충체육관

□ 세계정세 파악 및 글로벌 경제 성장과 번영을 논의하는 기회 제공 □ AI, 반도체, 양자컴퓨터, 바이오 등 세상을 바꾸는 기술에 관한 전문가들의 지식강연 청강 □ 동시다발적인 급격한 변화 속에서 한 단계 도약할 수 있는 인사이트와 아이디어 제공

	｢경상북도 반도체 인재 플랫폼 매칭 Day｣ 개최 2025.09.18.(목) / 구미코

□ 취업·취학 상담 및 현장 면접 부수 운영, 반도체 기업 및 특성화대학 홍보관 운영 □ 특강 (반도체 산업 트렌드, 취업 극복기, 면접 관련) □ 토크콘서트 (동기부여, 진로, 심리상담 등)

	｢2025 항공 방위 물류 박람회｣ 개최 안내 2025.09.24.-26.(수-금) / 구미코

□ 항공・방위・물류 산업 전문 세미나 개최 □ 방상 수출보증 공제사업 지원 상담회 및 기술교류회 □ 시험평가・해외인증컨설팅 상담 및 체험 프로그램 등 * 자세한 사항은 첨부자료 참고 바랍니다.

				반도체(소재 부품 장비) 관련 뉴스

제36호 2025.09.22.

	｢SiC MOS 소자 성능 향상 및 신뢰성 대폭 개선｣ 2025.9.4.(목) / 이타임즈 재팬

□ 서론 : 오사카대학 대학원 공학연구과 고바야시 타쿠마 준교수 연구진은 2025년 8월, '고온에서 희석수소 열처리'를 2단계에 걸쳐 실시하는 독자적인 방법으로 탄화규소(SiC) MOS 소자의 성능을 향상시키면서 신뢰성을 대폭 개선하는 데 성공했다고 발표했다

□ 내용: SiC 파워 디바이스는 고효율, 저손실, 고내압, 고온 내성 등 다양한 특징을 가지고 있어 전기자동차(EV), 철도, 산업기기 등의 분야에서 도입이 활발히 이루어지고 있으며, SiC 파워 디바이스의 추가적인특성 개선을 위해 질소 등 이종 불순물을 도입하는 것이 일반적이었다. 그러나 산화막에 불순물이 유입되면 소자의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다. 연구팀은 이번에 고온에서 희석수소 열처리를 진행했다. 이를 통해 질소나 붕소 등 이종 불순물을 사용하지 않고도 SiC MOS 소자의 특성과 신뢰성을 개선하는 데 성공했다. 구체적으로 1200℃ 이상의 고온에서 희석수소 열처리를 절연막 증착 전후로 두 번 실시하는 독자적인 방법(2단계 수소 열처리)을 통해 이동도와 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있었다고 한다.

* 자세한 자료는 첨부 자료 참조 바랍니다.

	｢GaN, SiC 파워 반도체의 기술 혁신-PCIM 2025 리포트｣ 2025.8. / 이타임즈 재팬

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□ 서론 :  세계 최대 규모의 파워일렉트로닉스 전시회 'PCIM Expo & Conference'가 2025년 5월 독일에서 개최되었다. 본고에서는 EE Times Japan 기자가 현지에서 취재한 업계의 최신 동향 및 기술을 소개한다.

□ 내용 :  Navitas Semiconductor(이하 Navitas)는 "세계 최초"(해당사)로 양산에 들어간 650V 양방향 질화 갈륨(GaN) IC 및 갈바닉 절연 고속 드라이버 등 자사의 최신 파워 디바이스 기술을 소개했다.EE Times Japan× EDN Japan 2025.8 4  양방향 GaN IC는 2단 구성의 전압 변환 아키텍처를 1단으로 변경할 수 있는 것으로, 설명 담당자는 "고효율화 및 비용 절감, 설계의 대폭적인 소형화를 실현한다. 이는 파워 일렉트로닉스 분야의 혁명이다"라고 말했다.  양방향 GaN IC는 기존 4개의 개별 MOSFET이 필요했던 양방향 전압/전류 제어를 단일 디바이스로 구현한다. 부품 수 감소 외에도 50% 이상의 풋프린트 감소 및 GaN 특성에 따른 고속화, 고효율화가 가능하다.

* 자세한 자료는 첨부 자료 참조 바랍니다.

	｢반도체 제조장비 시장, 25년 2분기 전년 동기 대비 24% 증가｣ 2025.9.8.(월) / 이타임즈 재팬

□ 서론 :  SEMI는 2025년 9월 4일(미국 시간), 2025년 2분기(4~6월) 반도체 제조 장비(신규)의 전 세계 총판매액이 330억 7천만 달러로 집계됐다고 발표했다. 전년 동기 대비 24% 증가, 2025년 1분기(전기)대비 3% 증가한 수치다. 첨단 로직과 고대역폭 메모리(HBM) 관련 D램 등에 대한 투자에 힘입은 것이다.

□ 내용 :  2025년 2분기 판매액을 지역 및 국가별로 살펴보면, 중국이 113억 6천만 달러로 1위를 유지했지만, 전년 동기 대비 7% 감소했다. 전년 동기 대비 11% 증가한 수치다. 대만은 87억 7000만 달러로 전년동기 대비 125% 증가하며 큰 폭으로 성장했다. 전기에 비해서는 24% 증가한 수치다. 한국은 59억1000만 달러로 전년 동기 대비 31% 증가했다. 다만 전기에 비해서는 23% 감소했다. 일본은 26억 8000만 달러로 전년 동기 대비 67% 증가했으며, 전기 대비로는 23% 증가했다. Ajit Manocha SEMI 사장 겸 CEO는 "2025년 상반기(1~6월) 세계 반도체 제조 장비 시장은 650억 달러 이상의 매출을 기록했다"고 말했다. 칩 제조업체들은 생산능력 증대를 위한 투자를 지속하고 있으며, AI 확장을 촉진하는 첨단 로직 및 메모리 기술 혁신을 지원하고, 각 지역의 공급망 강화 프로젝트에 대응하고 있다"고 말했다

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	｢차세대 전력반도체 장비 국산화로 시장 뚫는다｣ 2025.9.17.(수) / 지디넷코리아

□ 서론 : 국내 반도체 제조장비 업계가 SiC(탄화규소)·GaN(질화갈륨) 등으로 대표되는 차세대 전력반도체 시장 공략에 적극 나서고 있다. 기존 해외 기업들이 주도하던 제품을 국산화해 최근 국내외 고객사들을 대상으로 적극적인 프로모션과 데모 테스트에 나섰다.

□ 서론 : 장비업체 테스는 SiC 전력반도체의 핵심 공정인 에피(Epi) 성장을 위한 HTCVD(고온CVD) 장비 'TRION'을 상용화했다. CVD는 화학 반응을 통해 웨이퍼 표면에 얇은 막을 형성하는 공정을 뜻한다. 해당 장비는 기존 독일 엑시트론, ASM 자회사 LPE 등 해외 기업들이 사실상 시장을 독점해 왔다. TRION은 1천650도 고온의 공정온도에서도 8인치 웨이퍼 내의 온도 편차를 5도 이하로 제어할 수 있다. 또한 공정 가스 분사 시 두께, 도핑의 균일도를 미세하게 조절할 수 있는 노즐 기술도 갖췄다.제우스는 급속열처리(RTP) 장비로 관련 시장에서 두각을 드러내고 있다. RTP는 짧은 시간 동안 웨이퍼에 고온 환경을 조성해 소재의 전기적 특성을 개선하는 공정이다. 앞서 제우스는 지난 2023년 전력반도체용 RTP 장비인 'RHP'를 공개한 바 있다. 해당 장비는 평직물 구조의 텅스텐 할로겐 램프를 동심원 형태로 구성해, 열을 균일하게 전달한다. 이오테크닉스는 기존 메모리에 적용했던 레이저 어닐링 장비를 SiC 등 타 분야로도 확장하는 방안을 추진 중이다. 어닐링은 이온 주입 후 손상되는 웨이퍼의 결정 구조를 복원하기 위해 표면을 국소적으로 가열 및 냉각하는 공정이다. 웨이퍼 전체에 열을 가하던 기존 기술과 달리, 레이저는 필요한 부분에만 국소적으로 어닐링을 진행할 수 있어 미세 공정 구현에 용이하다.

https://v.daum.net/v/20250917112213965

	｢LG 반도체귀환…HBM 판흔들 장비전쟁 가세｣ 2025.9.16.(화) / 매일경제

□ 서론 : LG전자가 고대역폭메모리(HBM) 반도체 장비 사업화에 속도를 내고 있다. 인공지능(AI) 확산으로 반도체 패키징 장비 수요가 급증하자 차세대 공정에서 '꿈의 기술'로 꼽히는 하이브리드 본더 개발에 본격 착수했다.

□ 내용 : LG전자는 기업 간 거래(B2B) 중심의 '질적 성장'으로 사업 구조 전환을 가속화하는 동시에 반도체용 스마트팩토리 솔루션과 냉난방공조(HVAC) 시스템, 반도체 장비를 아우르는 종합 전략으로 시너지 효과를 노린다는 구상이다. 하이브리드 본더는 HBM 적층 과정에서 범프(중간 연결체)를 쓰지 않고 D램을 직접 접합하는 방식의 반도체 장비다. 기존 TC 본더 대비 전력 효율, 배선 밀도, 처리 속도를 크게 개선할 수 있다. 차세대 HBM 생산의 핵심 장비로 꼽히지만 어느 기업도 양산에 성공하지 못해 꿈의 기술로 불린다. LG전자가 이 분야에 도전할 수 있는 배경에는 10년간 생산기술원 중심으로 축적해온 반도체 장비 연구개발(R&D) 경험이 있다. LG전자는 이미 반도체 칩을 기판에 부착하는 일반 본더 장비를 조립·테스트 전문 업체(OSAT)에 공급한 경험을 갖고 있다. 이를 토대로 좀 더 복잡하고 정밀한 반도체 장비 영역으로 사업을 확장하는 셈이다. LG전자는 동시에 △반도체 유리기판용 정밀 가공 레이저 △HBM용 6면 고속·고정밀 검사 장비 등의 개발 속도를 높이며 장비 사업군 다변화를 추진하고 있다.

https://v.daum.net/v/20250916180629637

	｢삼성전자, SiC 전력반도체 상용화 고삐｣ 2025.9.15.(월) / 지디넷코리아

□ 서론 : 삼성전자가 차세대 전력반도체 소재로 각광받는 SiC(탄화규소, 실리콘카바이드) 시장에 주목하고 있다. 구체적인 상용화 시점은 밝혀지지 않았으나, 현재 8인치 공정을 중심으로 연구개발에 매진하고 있는 것으로 알려졌다

□ 내용 : SiC는 차세대 전력반도체로 각광받는 소재다. 기존 실리콘 대비 고온 및 고전압에 대한 내구성이 뛰어나며, 전력효율성이 높아, 전기차·에너지 등 산업 전반에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 특히 방대한 양의 데이터 처리가 필요한 AI 산업에서도 중요성이 대두되고 있다. 삼성전자 CSS 사업팀과 시장조사업체 욜디벨롭먼트의 조사에 따르면, SiC 반도체 시장은 지난해 34억 달러에서 오는 2030년 104억 달러(한화 약13조8천억원) 로 연평균 20.3%의 성장률을 나타낼 전망이다. 산업 별로는 자동차 시장이 71%의 점유율로 가장 높은 비중을 차지할 것으로 보인다. 홍 부사장은 "SiC는 전력 시스템이 직면한 구조적인 문제를 해결할 차세대 솔루션으로 각광받고 있다"며 "SiC의 도입을 가로막던 높은 단가도 소재, 부품, 장비에 이르는 업계 전체의 노력 덕분에 비용이 빠르게 절감되고 있어, 대규모 채택이 현실화될 수 있는 조건이 만들어지고 있다"고 말했다. 이에 지난 2023년 말 신설된 CSS 사업팀 주도로 8인치 SiC 전력반도체를 개발해 왔다. 8인치는 반도체 웨이퍼의 직경을 뜻한다. 기존 SiC 6인치 웨이퍼가 주류였으나, 근래에는 8인치 웨이퍼가 활발히 도입되고 있다

https://v.daum.net/v/20250915135912622